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等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平?

來源: 時間:2022-11-03 19:06:28 瀏覽次數(shù):

等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平?

等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平,關(guān)鍵在于放電通道形成的位置是否是樣件表面微觀凸起的位置,如果能夠使放電通道更多的是在微觀凸起的位置形成,則微觀凸起位置的材料優(yōu)先去除,表面粗糙度降低。一定條件下拋光所能達(dá)到的極小粗糙度值取決于單次放電所形成的坑痕的深度,坑痕深度越小,極小粗糙度值越小。對于拋光開始階段呈現(xiàn)出的粗糙度快速下降趨勢,是因?yàn)樵趻伖獾那?分鐘,由于樣件表面存在明顯凹凸不平的狀態(tài),而凸起的位置電場強(qiáng)度大,因此放電通道更多地選擇在凸起的位置形成,粗糙度下降速度最快,隨著拋光時間的延長,樣件凹凸不平的狀態(tài)得到改善,放電通道更多在微觀凸起位置形成的趨勢減弱,因此粗糙度下降的速度減小。


在不同電壓的條件下,粗糙度下降速度的不同也與不同電壓下氣層的厚度不同有關(guān)。低電壓條件下,氣層薄,微觀起伏造成的電場強(qiáng)度差異更明顯,而且電子經(jīng)過電場加速到達(dá)樣件表面時的速度更小,單次放電產(chǎn)生坑痕更淺,因此粗糙度值下降的速度快,而且所能達(dá)到的極小粗糙度值也更小。隨著電壓的升高,氣層變厚,微觀起伏造成的電場強(qiáng)度差異變小,電子經(jīng)過電場加速到達(dá)樣件表面時的速度增大,因此粗糙度值下降的速度減緩,所能達(dá)到的極小粗糙度值也增大,但是電壓過低時,也造成瞬時局部短路的幾率增大,而瞬時局部短路使樣件表面獲得的能量和所形成的坑痕深度都遠(yuǎn)大于一般的單次放電,就在一定程度上減緩的粗糙度值下降的速度,并增大了所能形成的極小粗糙度值,因此在220-250V電壓條件下粗糙度值的下降速度并不快于電壓為270-290V時,最終的極小粗糙度值也大于電壓為270-330V時。

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